最多将提供256个内核， 2nm工艺高性能CPU即将发布，3nm逐步走向成熟

虽然随着技术的最多逐步走发展
，摩尔定律已经失效
，将提即但是供个工艺高性芯片工艺制程技术的进步，也正在创造着新的内核能历史 。根据wccftech报道，发布AMD未来基于Zen 6内核架构的成熟第六代EPYC Venice CPU将采用台积电2nm制程，并计划将处理器核心提升至最多达256个 ，最多逐步走缓存总容量也将达到1GB。将提即

在去年的供个工艺高性“AMD Tech Day 2024”上，AMD正式更新了CPU的内核能技术路线图 ，建站模板并首次公开确定了Zen 5系列之后将是发布Zen 6系列架构，分为Zen 6和Zen 6c。成熟根据最新曝光的最多逐步走资料显示 
，新一代的将提即AMD EPYC 9006系列将与台积电合作，首款产品将采用台积电N2工艺 ，供个工艺高性面向场景为高性能计算。

资料显示，AMD EPYC 9006系列代号为Vencie（威尼斯）
，并将分别推出标准版的Zen6和高能效版Zen6c两个版本产品。

其中，Zen 6c将采用SP7接口，每个CCD 将设计为32个核心，源码下载总的核心数量将达到256个内核512个线程，并支持16通道DDR5-6400内存  。除此之外
，AMD Zen 6c还为每个CCD配备了128MB三级缓存
，总计缓存容量多达1GB。除了拥有更高的性能之外
，Zen6c架构的热设计功耗也高达600W。

AMD Zen 6架构采用了两种不同的接口 ，其中采用SP8封装接口的产品将配置12个CCD ，最多将达到96核心192线程，并且支持4/8通道DDR5-6400  。云计算采用SP7封装接口的产品将采用16个CCD设计，最多将达到128核心256线程 ，支持16通道DDR5-6400。两者的热设计功耗均为350-400W
。

根据AMD公布的计划，第六代EPYC处理器预计在2026年推出 ，这也是业界首款以台积电（TSMC）N2工艺技术流片的高性能计算（HPC）芯片。

从Venice流出的一张局部内核图我们可以清楚地看到 ，左侧四个CCD，每个CCD 12核心，免费模板显然右侧还有四个CCD
，而中间似乎是两个IOD。

目前 ，采用Zen 5架构AMD 9005系列处理器是AMD的主力产品。通过数据的对比，我们可以更加直观地看到下一代AMD 9006系列处理器的技术进步 。Zen 5架构仍旧有Zen 5和Zen 5c两种规格的产品组成，其中Zen 5架构的处理器采用4nm工艺 ，每颗芯片内最多16个，服务器租用总计最多128核心256线程
 。Zen 5c采用3nm工艺，每颗芯片内最多12个 ，总计最多192核心384线程。

据了解 ，采用台积电2nm GAAFET架构的AMD第六代EPYC处理器已经完成了流片，采用全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术的台积电2nm工艺技术上取得了重大的突破 ，已经具备了量产的能力。据了解，相比传统FinFET架构
，GAAFET晶体管密度提升30%，漏电率显著降低，源码库功耗和性能优化明显 。

除了2nm工艺之外，台积电仍然在持续优化3nm技术
。通过改进工艺节点，台积电推出了多个3nm版本，包括基础版N3、增强版N3E（性能提升5%） 、高性能版N3P（性能提升10% ，功耗降低5-10%）以及面向汽车电子的N3AE等。通过这种工艺版本化的策略，台积电不仅满足了不同客户需求，还通过持续优化延长了3nm的技术生命周期。

在生产制造方面，台积电通过AI驱动的工艺控制系统（如Smart Manufacturing平台），实时优化2000余项参数 ，使3nm工艺的过程能力指数（CPK）稳定在1.67，远超行业基准1.33 。同时，缺陷检测周期缩短了40%，显著提升了量产效率。

除了台积电之外 ，三星采用全环绕栅极（GAA）晶体管技术的3nm MBCFET架构也通过SF3E、SF3P等版本的迭代，使其良率不断提升。当然，受初期良率不足问题影响，仍然需要一定的时间来取得客户信任。

可以说 ，虽然采用2nm技术工艺的产品即将面世 ，但随着3nm技术工艺的不断成熟，未来很长一段时间内仍然是芯片产品的首选。